Lam Research 与 imec 扩大合作，推进下一代 3D 集成技术并探索 Aether 干式光刻胶应用

Lam 与 imec 扩大合作，推进下一代 3D 集成技术的可制造性，并探索 Aether 干法光刻胶的应用场景

AI 计算正在推动对先进封装和 3D 集成的需求。
Lam 与 imec 正在扩大联合研发，以加速实现制造就绪。
此次合作现已纳入用于高 NA EUV 图形化的 Aether® 干法光刻胶。
这项工作将支持未来的 AI 逻辑、存储及异构集成技术。

训练和部署大型 AI 模型需要前所未有的算力、内存带宽和能效。满足这些需求不再仅仅依赖于晶体管的微缩，而越来越多地取决于芯片如何作为完整系统进行设计、互连、封装和制造。

行业的应对之策正在三个维度上成形。

3D 集成、先进封装、下一代内存架构以及新的图形化技术正成为 AI 计算的关键推动因素。它们共同帮助芯片制造商突破传统微缩的限制，实现 AI 时代所需的性能提升。在此背景下，Lam 与先进半导体技术领域世界领先的研究创新中心 imec 延续了双方长期以来的战略合作，并新增了两个联合研发重点：实现先进 3D 集成，以及推进用于未来高 NA EUV 图形化的 Aether® 干法光刻胶。

AI 正在重新定义半导体性能的提升方式

最先进的 AI 系统依赖于逻辑、内存和互连技术的紧密集成。在这些元素之间高效传输数据，其重要性已不亚于提升单个晶体管的性能。

这一现实正推动先进封装和芯粒架构的加速采用，这些架构将多个专用芯片组合成一个单一系统。三维集成让芯片制造商能够在提升性能、内存容量和带宽的同时改善能效。随着传统晶体管微缩变得愈发困难，先进封装已成为延续半导体性能提升的关键路径。

但要让这些架构实现规模化制造，就需要在材料、沉积、刻蚀、图形化和集成等方面进行创新。

这正是协作创新变得不可或缺之处。

Lam 与 imec 提升 3D 集成的制造就绪度

Lam 与 imec 正在合作，以加速 3D 集成技术的制造就绪，从而支持先进封装和下一代内存。

通过将 Lam 在沉积和刻蚀方面的深厚能力与 imec 世界一流的集成基础设施相结合，此次合作旨在加快有前景的创新从实验室走向大规模量产的速度。合作聚焦于异构集成在业内广泛扩展之前必须解决的关键工艺挑战。联合研究领域包括厚介质沉积、非对称应力补偿、斜面沉积和等离子切割，以及针对先进封装和未来内存架构的工艺验证。

这项工作还延伸至未来的 3D 内存技术，包括新型电荷阱材料、精密多层沉积、高深宽比沟道刻蚀、深内存接触孔以及低电阻率互连。随着 AI 工作负载推动对更高内存密度和带宽的需求，这些创新正变得日益重要。

Aether 干式光刻胶助力开启高 NA EUV 图形化的下一个时代

虽然先进封装和 3D 集成有助于系统扩展，但 AI 还依赖于最先进逻辑器件的持续进步。

随着行业迈向埃米级节点，需要高 NA EUV 光刻技术来实现更小的特征尺寸和更高的晶体管密度。然而，高 NA EUV 需要在光刻胶、掩膜设计、图形化、材料、沉积、刻蚀和器件集成等相关技术方面进行创新。

为应对这些挑战，Lam 与 imec 还在研发方面展开合作，以推进 Lam 的 Aether 干式光刻胶平台的应用。借助 imec 的高 NA EUV 研究环境，联合工作的重点是提升分辨率、灵敏度、焦深以及随机缺陷水平。

Image with Aether dry develop advantages over wet develop for reducing defects

合作还包括探索基于 Aether 的先进互连图形化技术，包括在日益激进的节距下进行钌直接金属刻蚀。这些创新旨在支持更低电阻率的互连，并提升未来逻辑节点的电气性能。

重要的是，Aether 的潜力已通过联合研究得到验证，该研究实现了单次曝光的高 NA EUV 图形化，用于 20 纳米以下的钌直接金属刻蚀互连。在 20 纳米节距下，该工作在整个晶圆上对易受桥接缺陷影响的叉指结构实现了 100% 的电气良率，对易受断路缺陷影响的蛇形结构实现了超过 90% 的良率。基于 Aether 的图形化技术被强调为实现降低多重图形化复杂度和改善可制造性的一条可能路径。

与 Lam 的 Akara® 刻蚀系统和 Striker® ALD 产品组合相配合，Aether 是支持环绕栅极（GAA）和互补 FET（CFET）架构这一更广泛方法的一部分，这些架构有望为未来几代 AI 计算提供动力。

加速面向 AI 的半导体创新步伐

AI 时代正在同时提升半导体创新的复杂性和紧迫性。必须在整个技术栈中实现突破，从先进图形化和晶体管架构到内存、封装和系统集成。

这些新的合作研究领域反映了 Lam 的核心信念：当生态系统领导者们携手尽早解决制造挑战、将研究突破转化为可扩展的生产解决方案时，有意义的技术进步就会更快发生。

无论是实现下一代 3D 集成，还是推进面向高 NA EUV 的 Aether 干式光刻胶，目标都是一样的：加快突破性构想成为可制造技术的速度。

Anand Murthy 是先进技术集成副总裁。