Lam Research 俄勒冈 Tualatin 实验室扩建动工，加速 AI 芯片创新
Lam Research 在俄勒冈州 Tualatin 研发中心动工扩建新实验室，建成后洁净室空间扩大超 50%，面积 120,000 平方英尺，预计 2028 年启用。
#刻蚀
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Lam Research 半导体制造技术AI 评分2424 虚拟制造结合应力物理：解决 GAA 沟道非均匀性问题
Lam Research 使用 SEMulator3D® 集成应力建模，在制造前预测 GAA 堆叠纳米片沟道间的应力不均匀——nFET 应力差达 400-800 MPa，pFET 则低于 200 MPa。DOE 实验表明沟道厚度、fin 宽度和横向刻蚀共同影响应力均匀性，其中将最顶层沟道厚度从 4 nm 增至 7 nm 可显著降低应力差。