虚拟制造结合应力物理：解决 GAA 沟道非均匀性问题

Lam Research 使用 SEMulator3D® 集成应力建模，在制造前预测 GAA 堆叠纳米片沟道间的应力不均匀——nFET 应力差达 400-800 MPa，pFET 则低于 200 MPa。DOE 实验表明沟道厚度、fin 宽度和横向刻蚀共同影响应力均匀性，其中将最顶层沟道厚度从 4 nm 增至 7 nm 可显著降低应力差。