Carl Zeiss 与 ASML 发表 Hyper-NA EUV 光刻技术论文：数值孔径至少 0.75

Hyper-NA EUV: The Next Extension Beyond High NA Lithography (Carl Zeiss, ASML)

AI 导读

Carl Zeiss SMT 与 ASML 的研究人员发表论文，提出数值孔径至少 0.75 的 Hyper-NA EUV 光刻方案，作为超越当前 0.55 NA High-NA 系统的路径。

正文 · AI 翻译

popularity

卡尔蔡司 SMT（Carl Zeiss SMT）和 ASML 的研究人员发表了一篇题为《Hyper-NA：一种数值孔径不低于 0.75 的系统》的技术论文。

摘要概要：

研究人员将数值孔径不低于 0.75 的 Hyper-NA EUV 光刻视为超越当前 0.55 数值孔径 High-NA 系统的一条路径，内容涵盖光学架构、分辨率潜力、掩模三维效应、偏振，以及扩展现有 EUV 生态系统所需的要求。

在此查看技术论文。2026 年 10 月。

Patra, Michael, Heiko Feldmann, Jens Timo Neumann, and Gerardo Bottiglieri. “Hyper-NA: a system with a numerical aperture of at least 0.75.” Journal of Micro/Nanopatterning, Materials, and Metrology 25, no. 4 (2026): 041807. https://doi.org/10.1117/1.JMM.25.4.041807