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ASML与蔡司提出Hyper-NA EUV光刻方案
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AI 综述
2026年10月8日，Semiconductor Engineering报道，Carl Zeiss SMT与ASML的研究人员联合发表论文，提出Hyper-NA EUV光刻技术方案，数值孔径至少为0.75。该方案被定位为超越当前0.55 NA High-NA EUV系统的技术路径。目前该事件仅有一篇报道，尚无关于样机进度、量产时间或客户部署等进一步信息。
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最新进展10月8日 03:47
蔡司与ASML发表论文，提出NA至少0.75的Hyper-NA EUV方案，作为超越0.55 NA的路径。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月8日
- Semiconductor Engineering 芯片与封装Carl Zeiss 与 ASML 发表 Hyper-NA EUV 光刻技术论文：数值孔径至少 0.75
Carl Zeiss SMT 与 ASML 的研究人员发表论文，提出数值孔径至少 0.75 的 Hyper-NA EUV 光刻方案，作为超越当前 0.55 NA High-NA 系统的路径。
本事件热度走势
当前热度 9·可比范围峰值 10（10月8日 04:00）·近 24 小时可比范围变化 –
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