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Semiconductor Engineering 芯片与封装· Technical Paper Link·· 3 小时前AI 评分37

中科院等团队研究 Pt-W 合金作为低 n 值 EUV 掩模吸收层,有望支持更薄的高 NA EUV 掩模

Pt-W Alloy Shows Potential For Thinner High-NA EUV Mask Absorbers (Chinese Academy of Sciences et al.)

AI 导读

中科院、吉林大学等机构的研究团队发表论文,评估 Pt-W 合金作为下一代低 n 值 EUV 掩模吸收层的薄膜特性与成像性能。该成果发表于 2026 年 8 月的 iScience,显示 Pt-W 合金有望用于更薄的高 NA EUV 掩模吸收层。

正文 · AI 翻译

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中国科学院、吉林大学、光学系统先进制造全国重点实验室以及中国科学院大学的研究人员发表了一篇题为《Evaluating an alternative Pt-W alloy as a low-n EUV mask absorber: Film properties and imaging performance》的技术论文。

“在这项研究中,我们探索了一种替代性的 Pt-W 合金,作为下一代低 n 值 EUV 掩模吸收层,”论文指出。

请在此阅读该技术论文。2026 年 8 月。

Li, Zhonghua, Haolong Tang, Xiaoyi Wang, Hongwei Tian, Yanchao Wang, and Hanwen Hu. “Evaluating an alternative Pt-W alloy as a low-n EUV mask absorber: Film properties and imaging performance.” iScience, 2026 年 8 月. https://doi.org/10.1016/j.isci.2026.116912. 署名-非商业性使用 4.0 国际许可协议。

来源: Semiconductor Engineering 芯片与封装 · semiengineering.com