跳到正文
Semiconductor Engineering 芯片与封装· Technical Paper Link·· 3 小时前AI 评分37

KU Leuven 等研究发现干法沉积光刻胶在 EUV 与电子束曝光下呈现不同的极性转换行为

Dry-Deposited Resist Shows Different Tone Behavior Under EUV And E-Beam Exposure (KU Leuven, Kunsan, VUB, Imec)

AI 导读

KU Leuven、群山国立大学、布鲁塞尔自由大学和 imec 等机构的研究人员在 ACS Applied Materials & Interfaces 发表论文,报道了一种完全通过干法沉积的卤化非晶沸石咪唑酯骨架(a-ZIF)金属有机光刻胶,可用于下一代半导体制造中的先进图案化工艺。该光刻胶在电子束与 EUV 两种曝光源下表现出显著的、随辐照源变化的极性(tone)转换行为。

正文 · AI 翻译

popularity

鲁汶大学(KU Leuven)、群山国立大学(Kunsan National University)、布鲁塞尔自由大学(Vrije Universiteit Brussel)、imec 等机构的研究人员发表了论文《Irradiation-Source-Dependent Tone Conversion in Dry-Deposited Halogenated Amorphous Zeolitic Imidazolate Framework Resists for Electron-Beam and Extreme Ultraviolet Lithography》(干法沉积卤化无定形沸石咪唑酯骨架光刻胶在电子束与极紫外光刻中的辐照源依赖性极性转换)。

摘要节选:
“干法沉积的金属有机光刻胶是下一代半导体制造中先进图形化工艺的关键使能技术。本文报道了完全通过干法工艺沉积的卤化无定形沸石咪唑酯骨架(a-ZIF)光刻胶,其表现出显著的辐照源依赖性极性转换。”

请在此查看技术论文。2026 年 10 月。

Byeon, Jinhwan, Nick Gys, Jorid Smets, Ali Azimi, Lukas Nulens, João Fernandes, Leen Boullart 等。《Irradiation-Source-Dependent Tone Conversion in Dry-Deposited Halogenated Amorphous Zeolitic Imidazolate Framework Resists for Electron-Beam and Extreme Ultraviolet Lithography》。ACS Applied Materials & Interfaces(2026)。

来源: Semiconductor Engineering 芯片与封装 · semiengineering.com