芯片行业技术论文集锦：HBM 功耗、GAAFET 漏电路径与 Agentic AI 芯片设计

HBM 功耗；GAAFET 漏电流路径；用于异构系统设计的智能体 AI；纳米机电增益单元 eDRAM；AI 加速的 3D-IC 热建模；用于 RTL 验证与调试的智能体 AI；自动驾驶汽车中的热侧信道攻击。

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Semiconductor Engineering 的资料库最近新增的技术论文：

技术论文	研究机构
用于跨芯片、Scale-Up 与 Scale-Out 域的异构系统设计的智能体 AI	阿贡国家实验室、伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校
利用预测性第一性原理仿真揭示 GAAFET 中新的漏电路径	桑迪亚国家实验室、卢森堡科学技术研究院
纳米机电门控增益单元 eDRAM	加州大学伯克利分校、三星电子、英特尔
一种可组合的用于 3D-IC 热建模的 AI 加速迭代求解器	Cadence Design Systems、圣母大学
理解现代高带宽内存的功耗：基于真实 HBM2 DRAM 芯片的实验分析与建模	苏黎世联邦理工学院、纽约大学
回到未来：重新思考芯片设计验证中面向智能体系统的 EDA 基础设施	哥伦比亚大学、Google DeepMind、Google
自动驾驶汽车能保持冷静吗？热侧信道与感知攻击综述	密苏里科技大学

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Linda Christensen 是 Semiconductor Engineering 的运营副总裁兼撰稿人。