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Semiconductor Engineering收录多篇芯片技术论文
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AI 综述
Semiconductor Engineering 于2026年10月20日收录并发布多篇芯片行业新技术论文,内容涵盖多个前沿方向:其中,Argonne 国家实验室与伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校合作的研究提出面向跨芯片、scale-up 与 scale-out 域的 agentic AI 异构系统设计;Sandia 国家实验室则通过第一性原理模拟揭示了 GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)中此前未被发现的新漏电路径。同期收录的论文还包括对 HBM(高带宽内存)功耗问题的研究。这批论文集中反映了芯片与封装领域在先进制程器件物理、内存功耗优化以及 AI 驱动的芯片设计方法学等方面的最新研究进展。
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10月20日
- Semiconductor Engineering 芯片与封装芯片行业技术论文集锦:HBM 功耗、GAAFET 漏电路径与 Agentic AI 芯片设计
Semiconductor Engineering 收录多篇新芯片技术论文:Argonne 国家实验室与伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校研究跨芯片、scale-up 与 scale-out 域的 agentic AI 异构系统设计;Sandia 国家实验室用第一性原理模拟揭示 GAAFET 新漏电路径。
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