KAIST 等团队利用蚀刻通量实现二维半导体确定性成核
Deterministic Nucleation Enables Controlled Growth of 2D Semiconductors (KAIST, TDS, Hanyang et al.)
KAIST、TDS Innovation、汉阳大学、UNIST 等机构研究人员在 Nature 发表论文，提出通过蚀刻通量介导的二维半导体单中心成核方法，可确定性地将单个成核事件定位在指定位置。传统策略只能调控成核密度并实现区域选择性生长，无法决定单个晶核在生长区域内的具体位置。该论文于 2026 年 10 月发表，属开放获取。
KAIST、TDS Innovation、汉阳大学、UNIST等机构的研究人员发表了一篇题为《Spatially deterministic nucleation of 2D semiconductors by etching flux》（通过蚀刻通量实现二维半导体的空间确定性成核）的技术论文。
摘要节选：
“成核控制是半导体沉积的基础，它决定着晶体材料何时、何地以及如何形成。传统策略可以调节成核密度，并可通过区域选择性生长将沉积限制在指定区域内。然而，这些策略通常无法确定单个晶核在生长区域内的具体形成位置，使得即使是单次成核事件在空间上仍具有随机性，从而限制了晶体材料的确定性构建。 在此，我们报告了通过蚀刻通量介导的二维（2D）半导体单中心成核方法，以确定性地定位单次成核事件。”
请在此处查看该技术论文。2026年10月。
Park, J., Kim, J., Kang, S. et al. Spatially deterministic nucleation of 2D semiconductors by etching flux. Nature 658, 398–406 (2026). https://doi.org/10.1038/s41586-026-11095-1. 开放获取版权许可。
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