KAIST等发表2D半导体确定性成核论文

KAIST、TDS Innovation、汉阳大学、UNIST 等机构的研究人员在 Nature 发表论文，提出一种通过蚀刻通量介导的二维半导体单中心成核方法，可确定性地将单个成核事件定位在指定位置。传统策略只能调控成核密度并实现区域选择性生长，无法决定单个晶核在生长区域内的具体位置。该论文于 2026 年 10 月发表，属开放获取。目前无后续进展报道。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。