Hybrid Bonding 成本高企：有无更便宜的无凸点键合方案？

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在我们之前关于混合键合的文章中，我们探讨了它为何成为突破微凸点 (micro-bump) 缩放极限的关键，以及随着 TSMC 的 SoIC-X 在 AI 芯片中的应用日益增长，为何它预计会带动混合键合设备的需求。然而，从微凸点到混合键合的道路并非一步之遥。混合键合成本高昂，对洁净室要求苛刻，因此业界仍在寻求中间或补充方案。

这正是其他无凸点键合技术受到关注的原因。SK hynix 于 2026 年 8 月公布的路线图，将无凸点 TCB 定位为免助焊剂 TCB 与混合键合之间的过渡步骤。本文将探讨混合键合之外的无凸点方案：它们如何工作、有何差异，以及设备供应商如何制定各自的策略。

随着凸点间距缩小，先进封装中的键合技术已从适用于约 50 µm 凸点间距的倒装芯片 (flip-chip)，发展到微凸点加热压键合 (TCB)。使用免助焊剂、无需传统助焊剂的 TCB，目前支持的凸点间距最小约为 8 µm。然而，即便热压技术不断改进，微凸点本身仍面临物理缩放极限。这正是无凸点键合诞生的原因。

无凸点意味着不使用传统焊球。取而代之的是，芯片表面的金属（如 Cu 焊盘或凸点下金属层 (UBM)）直接接触，从而实现更小的互连，键合间距可达 5 µm 左右。混合键合是目前唯一已商业化的无凸点技术。它通过等离子体活化和预键合等步骤，将芯片的介质层和 Cu 焊盘直接键合在一起。

在付费墙之后，我们探讨：

• 混合键合的成本驱动因素

• 无凸点倒装芯片、无凸点 TCB 与混合键合的对比

• 存储器厂商何时可能转向无凸点键合

• 固晶机 (die bonder) 供应商如何同时推进多条技术路线