先进封装从工艺学习到量产控制：表征与测试的挑战与方法
随着异构集成从 2.5D interposer、CoWoS 发展到混合键合与 3D 堆叠，先进封装的良率敏感性和缺陷机制与前端逻辑及标准封装截然不同，行业一直缺乏专用计量、表征与分析框架。文章介绍一套集成方法论，用于加速先进封装工艺开发并维持量产控制。
#CoWoS
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TrendForce Insights 半导体产业洞察AI 评分4242 为什么人人都在谈混合键合，谁在这场竞赛中——TrendForce 解析 3D 封装格局
TrendForce 深入解析 3D 先进封装与混合键合：TSMC SoIC 采用 3D 互连，互连密度较 CoWoS 提升 56x、能效提升 5x，2025 年以 6µm 键合间距量产，并计划 2029 年缩至 4.5µm；Intel Foveros Direct 以 9µm 间距于 1H26 随 Clearwater Forest Xeon 6+ 量产。
TrendForce Insights 半导体产业洞察AI 评分3838 TrendForce 解析先进封装：2.5D/3D 封装市场趋势与展望
TrendForce 梳理 AI 芯片供应链中 2.5D/3D 先进封装的最新格局：TSMC 的 5.5x reticle CoWoS 已量产，良率超 98%，计划 2029 年后扩展至 14x 以上；Intel 的 EMIB-T 良率显著改善，今年将扩展至 8x 以上、2028 年超 12x，目标 2027 年支持客户量产。