芯片行业技术论文精选：10 月 13 日

M3D mem-TFT 神经形态计算；2D 半导体成核；超薄高κ介电材料；hyper-NA EUV 光刻；AI 加速器中的位翻转攻击检测；可编程 DRAM 控制器；与代工厂兼容的光学弯曲结构。

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Semiconductor Engineering 的资料库最近新增了以下技术论文：

技术论文	研究机构
通过刻蚀通量实现 2D 半导体的空间确定性成核	KAIST、TDS Innovation、汉阳大学、UNIST
利用碳点单分子层组装作为范德华界面层，在 2D 半导体上集成高κ氧化物	UIUC、National Energy Technology Laboratory、阿贡国家实验室、Monash University
Hyper-NA：一个数值孔径不低于 0.75 的系统	Carl Zeiss SMT、ASML
BARE-AI：通过内置性能监视器实现 AI 硬件中的位翻转攻击韧性	佛罗里达大学、UT Dallas、RPI
用于电可编程多模式储备池计算的单片 3D 集成忆阻器-薄膜晶体管	首尔国立大学、延世大学
Terracotta：通过灵活的 DRAM 接口和内存控制器推动新 DRAM 技术的采用	ETH Zürich、CISPA、纽约大学
面向商业代工工艺、具有更强制造容差的低损耗超紧凑光波导弯曲结构	Georgia Tech

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Linda Christensen 是 Semiconductor Engineering 的运营副总裁兼撰稿人。