新加坡国立大学团队用单晶高κ介质实现低功耗 2D CFET

Single-Crystal High-κ Dielectric Enables Low-Power 2D CFETs (NUS et al.)

AI 导读

新加坡国立大学联合 Nexstrom 在 Nature 发表研究，展示晶圆级、可转移的单晶锐钛矿二氧化钛介质与 2D 过渡金属硫族化合物的范德华集成。所得近乎完美的 2D-介质界面使亚阈值摆幅接近热力学极限，n 型与 p 型增强型晶体管迟滞创纪录地低。据此实现的 CFET 反相器具备高电压增益和大噪声容限，静态功耗低于皮瓦级。

正文 · AI 翻译

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由新加坡国立大学 和 Nexstrom 的研究人员发表了《使用单晶高κ介电材料的低功耗二维 CFET》。

摘要节选:
“我们证明了晶圆级、可转移的单晶锐钛矿型二氧化钛介电材料可以与二维过渡金属硫族化合物进行范德华集成。所获得的原始二维-介电界面使亚阈值摆幅接近热力学极限，迟滞达到创纪录的低水平，并且 n 型和 p 型增强型场效应晶体管的转移特性匹配良好。在此基础上，我们展示了互补场效应晶体管，其反相器在亚皮瓦静态功耗下实现了高电压增益和大噪声容限。这些结果凸显了二维半导体在超低功耗运行方面的前景。”

在此查看技术论文。2026 年 11 月

Yang、Ni、Ji Zhang、Yu-Cheng Lu 等人，《使用单晶高κ介电材料的低功耗二维 CFET》，Nature（2026）。https://doi.org/10.1038/s41586-026-11272-2=