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新加坡国立大学团队实现单晶高κ介电2D CFET
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AI 综述
新加坡国立大学联合 Nexstrom 在 Nature 发表研究，展示晶圆级、可转移的单晶锐钛矿二氧化钛介质与 2D 过渡金属硫族化合物的范德华集成。得益于近乎完美的 2D-介质界面，器件亚阈值摆幅接近热力学极限，n 型与 p 型增强型晶体管迟滞达到创纪录的低水平。基于该技术实现的 CFET 反相器具备高电压增益和大噪声容限，静态功耗低于皮瓦级，为低功耗 2D 晶体管集成提供了新的技术路径。
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最新进展11月12日 08:28
NUS 联合 Nexstrom 在 Nature 发表单晶二氧化钛介质与 2D 材料集成，实现低功耗 CFET 反相器。报道时间线
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11月12日
- Semiconductor Engineering 芯片与封装新加坡国立大学团队用单晶高κ介质实现低功耗 2D CFET
新加坡国立大学联合 Nexstrom 在 Nature 发表研究，展示晶圆级、可转移的单晶锐钛矿二氧化钛介质与 2D 过渡金属硫族化合物的范德华集成。所得近乎完美的 2D-介质界面使亚阈值摆幅接近热力学极限，n 型与 p 型增强型晶体管迟滞创纪录地低。据此实现的 CFET 反相器具备高电压增益和大噪声容限，静态功耗低于皮瓦级。
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