首尔国立大学团队发表亚伏特 HZO 铁电电容研究，面向类 DRAM 内存
Fast, Sub-Volt HZO Ferroelectric Capacitors For DRAM-Like Memory (SNU)
首尔国立大学领衔团队在 Nature Communications 发表论文，通过 TiN 电极与界面工程缓解铁电 Hf0.5Zr0.5O2 电容的速度与耐久矛盾，实现 0.6 V 下 42.1 ns 极化翻转、1.0 V 下 8.1 ns 翻转，0.6 V 下按 20% 极化损失标准达数千亿次开关循环，循环测试达 10^12 次双极循环且未发生硬击穿。
由首尔国立大学主导的研究人员发表了论文《Resolving the Kay–Dunn limit and the speed–endurance dilemma in ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 for DRAM-class sub-volt capacitors》。
第一作者、博士 Geun Hyeong Park 在此总结了这项工作：
“快速且频繁重写的存储器需要低工作电压、快速切换和高循环耐久性。然而在铁电电容器中，加速极化翻转通常需要更高的电压，而这可能缩短器件寿命。
这项工作通过 TiN 电极和界面工程来应对这一权衡，降低了界面电压损耗并促进了极化反转。关键实验结果包括：
- 在 0.6 V 下实现 42.1 ns 极化翻转。
- 在 1.0 V 下实现 8.1 ns 极化翻转。
- 以 20% 极化损耗为判据，在 0.6 V 下实现数千亿次开关循环。
循环测试还达到了 10^12 次双极性循环而未发生硬性电击穿。
除电容器测量之外，研究人员还提出了一种采用 1 晶体管 1 电容器单元结构的共板铁电存储器（CP-FeRAM）架构，并通过电路仿真评估了其读取性能。该架构探索了在存储电荷衰减后基于极化的读出方式，为降低类 DRAM 存储器的刷新需求提供了一条潜在途径。”
技术论文见此。2026 年 10 月
Park, G.H., Jo, S., Park, S. et al. Resolving the Kay–Dunn limit and the speed–endurance dilemma in ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 for DRAM-class sub-volt capacitors. Nat Commun (2026). https://doi.org/10.1038/s41467-026-78705-4
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来源： Semiconductor Engineering 芯片与封装 · semiengineering.com