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SNU团队突破HZO铁电电容速度耐久极限
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AI 综述
首尔国立大学领衔团队在 Nature Communications 发表论文，研究面向类 DRAM 内存的亚伏特 HZO（Hf0.5Zr0.5O2）铁电电容。铁电 HZO 电容长期存在速度与耐久之间的矛盾，该团队通过 TiN 电极与界面工程来缓解这一问题。研究结果显示：电容可在 0.6 V 下实现 42.1 ns 的极化翻转，在 1.0 V 下实现 8.1 ns 翻转；耐久性方面，0.6 V 下按 20% 极化损失标准达到数千亿次开关循环，循环测试达到 10^12 次双极循环且未发生硬击穿。该成果为低电压、高速度、高耐久的类 DRAM 铁电内存提供了可行性依据。
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11月4日
- Semiconductor Engineering 芯片与封装首尔国立大学团队发表亚伏特 HZO 铁电电容研究，面向类 DRAM 内存
首尔国立大学领衔团队在 Nature Communications 发表论文，通过 TiN 电极与界面工程缓解铁电 Hf0.5Zr0.5O2 电容的速度与耐久矛盾，实现 0.6 V 下 42.1 ns 极化翻转、1.0 V 下 8.1 ns 翻转，0.6 V 下按 20% 极化损失标准达数千亿次开关循环，循环测试达 10^12 次双极循环且未发生硬击穿。
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