TU Munich 与 IIT Kanpur 研究：自热效应与寄生参数制约多层 CFET 扩展

Self-Heating And Parasitics Challenge Multi-Tier CFET Scaling (TU Munich, IIT Kanpur)

AI 导读

TU Munich 与 IIT Kanpur 研究者在 IEEE 期刊发表论文，用经实验校准的 TCAD 模型研究自热效应及 MOL/BEOL 寄生参数对多层 CFET 设计的影响，将四层堆叠 nanosheet 的 CFET 与传统两层方案对比。

正文 · AI 翻译

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慕尼黑工业大学和印度理工学院坎普尔分校的研究人员发表了论文《多层 CFET 设计中的自热效应与寄生效应》。

摘要节选：
“我们研究了自热效应（SHE）以及中端线路（MOL）和后端线路（BEOL）引入的寄生参数对多层 CFET 设计的影响，其中多个纳米片器件垂直堆叠。我们使用根据实验测量数据校准的 TCAD 模型，分析并比较了四层互补场效应晶体管（CFET）设计与传统两层 CFET 设计。此外，我们还利用 TCAD 仿真对 SHE 引起的热量分布和温度曲线进行建模与分析，并从采用完整 MOL 和 BEOL 互连线设计的 CMOS 反相器的三维模型中提取了详细的寄生 RC 网络。”

请在此阅读技术论文。2026 年 6 月

Shahin, Sufia, Mahdi Benkhelifa, Yogesh Singh Chauhan, and Hussam Amrouch. “Self-Heating and Parasitic Effects in Multi-Tier CFET Design.” IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits 12 (2026): 153–158. https://doi.org/10.1109/JXCDC.2026.3704373. 许可证。