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慕尼黑工大与IIT Kanpur研究多层CFET自热与寄生效应
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AI 综述
TU Munich 与 IIT Kanpur 的研究者在 IEEE 期刊发表论文，采用经实验校准的 TCAD 模型，研究自热效应以及 MOL/BEOL 寄生参数对多层 CFET（互补场效应晶体管）设计的影响。研究中将四层堆叠 nanosheet 的 CFET 方案与传统两层方案进行对比，结果显示自热效应与寄生参数是制约多层 CFET 扩展的因素。这是该事件目前唯一的报道，尚无后续进展。
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报道时间线
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10月26日
- Semiconductor Engineering 芯片与封装TU Munich 与 IIT Kanpur 研究：自热效应与寄生参数制约多层 CFET 扩展
TU Munich 与 IIT Kanpur 研究者在 IEEE 期刊发表论文，用经实验校准的 TCAD 模型研究自热效应及 MOL/BEOL 寄生参数对多层 CFET 设计的影响，将四层堆叠 nanosheet 的 CFET 与传统两层方案对比。
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