Sandia 与 Luxembourg 研究团队用第一性原理模拟定位 GAAFET 漏电流路径
Simulations Pinpoint Leakage Pathway In GAAFETs (Sandia, Luxembourg)
Sandia 国家实验室与 Luxembourg Institute of Science and Technology 研究人员发表论文，通过基于 Contact Block Reduction 方法的电荷自洽 Non-Equilibrium Green Function 模拟，在空间上解析出 GAAFET 的漏电路径。
桑迪亚国家实验室（Sandia National Laboratories）与卢森堡科学技术研究院（Luxembourg Institute of Science and Technology）的研究人员发表了一篇题为《利用预测性第一性原理模拟揭示 GAAFET 中的新泄漏路径》的技术论文。
摘要节选：
“环栅场效应晶体管（GAAFET）正成为鳍式场效应晶体管（FinFET）的后继者，是先进半导体节点持续微缩的核心。尽管其静电控制能力有所提升，但近期测量表明，GAAFET 在负栅压下的漏极电流强烈偏离热电子发射行为，并随栅压变得更负而增大。这种泄漏被归因于通过高k介电材料的直接栅极-漏极隧穿，并被漏极感生介电势垒降低（DIDBL）所增强。在此，我们使用基于接触块约化（CBR）方法的预测性、电荷自洽的非平衡格林函数（NEGF）模拟，对 GAAFET 中的这一泄漏路径进行空间分辨。”
请在此处查阅该技术论文。2026 年 10 月。
Mamaluy, Denis, Juan P. Mendez, Coleman Cariker, Michael Titze, and Alex A. Belianinov. “Revealing New Leakage Paths in GAAFETs using Predictive First-Principles Simulations.” arXiv preprint arXiv:2610.14298 (October 2026). https://doi.org/10.48550/arXiv.2610.14298. Creative Commons 许可协议。
图 1：本文所用单层片 GAAFET 器件的 GAAFET 架构与横截面示意图。来源：Revealing New Leakage Paths in GAAFETs using Predictive First-Principles Simulations
来源：Semiconductor Engineering 芯片与封装 · semiengineering.com