研究用模拟定位GAAFET漏电路径

2026年10月15日，Semiconductor Engineering报道，Sandia国家实验室与Luxembourg Institute of Science and Technology的研究人员发表论文，通过基于Contact Block Reduction方法的电荷自洽Non-Equilibrium Green Function模拟，在空间上解析出GAAFET（环绕栅极场效应晶体管）的漏电流路径。该工作属于芯片与封装领域的器件物理研究，旨在借助第一性原理模拟手段定位漏电来源，为GAAFET器件的漏电问题分析提供工具与方法支持。目前尚无后续进展或应用落地的报道。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。