ETH Zurich 与 NYU 首次对真实 HBM2 DRAM 芯片功耗进行实验表征
Characterization of HBM Power Consumption (ETH Zurich, NYU)
ETH Zurich 与 NYU 研究者发表论文，首次对真实 HBM2 DRAM 芯片功耗做全面实验表征，给出 13 项新发现和 6 条关键结论。其中读操作电流显著高于其他操作，翻转全部 bank group 总线信号会使功耗比保持恒定高 29.4%。团队据此构造的访问模式在 36 颗受测 HBM2 芯片上平均功耗比 JEDEC 规定的最高功耗测量环路高 23.6%。
苏黎世联邦理工学院和纽约大学的研究人员发表了一篇题为“Understanding the Power Consumption of Modern High Bandwidth Memory: Experimental Analysis and Modeling Using Real HBM2 DRAM Chips”的技术论文。
摘要节选：
“我们对真实 HBM2 DRAM 芯片所消耗的功耗进行了首次全面的实验表征。我们广泛的表征提供了：1) 开发新的、精确的 HBM 功耗模型或验证现有功耗模型的经验基础，以及 2) 对 HBM2 芯片中结构和数据模式相关功耗变化的关键洞察。在我们的 13 项新发现和 6 条核心要点中，我们重点强调：1) 读取操作消耗的电流显著高于任何其他操作；2) 数据传输突发中翻转的数据总线信号会显著影响电流消耗，其中翻转所有 HBM2 内部 bank group 总线信号会导致功耗比保持其恒定高出 29.4%。利用我们对 HBM2 功耗消耗的实证洞察，我们设计了一种访问模式，在 36 颗受测 HBM2 芯片上，其平均功耗比 JEDEC 规定的最高功耗电流测量循环高出 23.6%。”
请在此查看技术论文。2026 年 10 月。
Olgun, Ataberk, Spiros Galanopoulos, Andreas Kosmas Kakolyris, İsmail Emir Yüksel, Haocong Luo, F. Nisa Bostancı, and Onur Mutlu. “Understanding the Power Consumption of Modern High Bandwidth Memory: Experimental Analysis and Modeling Using Real HBM2 DRAM Chips.” arXiv preprint arXiv:2610.14244 (October 2026). https://doi.org/10.48550/arXiv.2610.14244
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