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ETH Zurich与NYU首次实测HBM2真实功耗
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AI 综述
2026年10月14日，Semiconductor Engineering报道，ETH Zurich与NYU的研究者发表论文，首次对真实HBM2 DRAM芯片的功耗进行全面实验表征。研究给出了13项新发现和6条关键结论。主要发现包括：读操作的电流显著高于其他操作；若翻转全部bank group的总线信号，会使功耗比保持恒定状态高出29.4%。基于这些特征，团队构造了特定的访问模式，在36颗受测HBM2芯片上测得的平均功耗，比JEDEC规定的最高功耗测量环路高出23.6%。该研究为HBM2功耗的实测提供了新的数据与结论，揭示了现有标准测试方法可能低估实际功耗峰值。
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最新进展10月14日 23:27
ETH Zurich与NYU论文实测36颗HBM2芯片，构造访问模式功耗超JEDEC标准环路23.6%。报道时间线
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10月14日
- Semiconductor Engineering 芯片与封装ETH Zurich 与 NYU 首次对真实 HBM2 DRAM 芯片功耗进行实验表征
ETH Zurich 与 NYU 研究者发表论文，首次对真实 HBM2 DRAM 芯片功耗做全面实验表征，给出 13 项新发现和 6 条关键结论。其中读操作电流显著高于其他操作，翻转全部 bank group 总线信号会使功耗比保持恒定高 29.4%。团队据此构造的访问模式在 36 颗受测 HBM2 芯片上平均功耗比 JEDEC 规定的最高功耗测量环路高 23.6%。
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