Intel Foundry 在 VLSI Symposium 披露 18A-P 进入风险生产及多项工艺进展

加利福尼亚州圣克拉拉--(美国商业资讯)--在 2026 年 VLSI 研讨会上，Intel Foundry 介绍了其制程路线图和长期创新投资的最新进展。该公司表示，Intel 18A 系列中的首款性能增强版 Intel 18A-P 已进入风险试产，符合去年首次向客户和合作伙伴公布的时间表。

Intel Foundry 执行副总裁兼总经理 Naga Chandrasekaran 表示：“我们在 VLSI 上的更新和演示向 Intel Foundry 的客户和合作伙伴表明，我们长期致力于引领尖端制程创新。这是一段旅程，尽管前方还有更多工作要做，但我们很荣幸有机会分享我们在 Intel 18A-P 以及更长期研发方面取得的进展。”

Intel 18A-P 在 VLSI 上的更新

Intel Foundry 通过晶体管、互连和设计工艺协同优化相结合，为 Intel 18A-P 带来性能、功耗和设计方面的优势。在 VLSI 上，Intel Foundry 的工程师详细介绍了以下进展：

与 Intel 18A 相比，Intel 18A-P 在同等功耗下性能提升 9%，或在同等性能下功耗降低 18%，同时热特性得到增强，设计灵活性也得到扩展。
首次展示 Power Boost，这是 Intel 18A-P 全新的双接触低电阻晶体管选项，可在匹配电容下实现更高的驱动电流和更高的频率。
通过材料和设计创新，热阻改善 20-40%。
利用几何和材料优化，通孔电阻（指芯片各层之间的垂直连接）改善 10-30%。
通过 PMOS 应变工程实现迁移率增强，让电流更高效地通过晶体管。
全新的低功耗和高性能晶体管选项。
在 ULVT 和 LVT 之间新增第五组逻辑 Vt 搭配（为设计人员提供额外的第五种 Vt 选项，以平衡速度与功耗）。
Intel 18A-P 与 Intel 18A 完全符合设计规则，可直接复用现有 IP 和设计流程。
与 Intel 18A 类似，Intel 18A-P 提供两种单元高度（180nm 和 160nm），接触式多晶硅栅间距为 50nm。

VLSI 上的其他更新

Intel Foundry 去年凭借 Intel 18A 将环绕栅极（GAA）晶体管和背面供电（BSPD）技术推向市场。本周，工程团队讨论了这些技术如何为未来逻辑设计的性能提升、能效改进和尺寸微缩奠定基础：

在 VLSI 特邀演讲中，Intel Foundry 副总裁兼院士 Eric Karl 展示了公司如何量化背面供电和环绕栅极晶体管的优势。Karl 介绍了布线面积减少 11% 和动态电压降降低 10 倍的效果，与同类正面互连技术相比，可实现高达 6% 的频率提升或超过 15% 的动态功耗降低。
来自 Intel Foundry 硅与平台工程部门的 Manju Shamanna 分享了基于环绕栅极和背面供电制程构建的 CPU 内核的硅片测试结果。他的研究表明，在较低电压下具有更强的频率扩展能力，包括在低电压（约 0.5V）下频率提升约 30%，同时还降低了 IR 压降并实现了更高效的运行。

VLSI 上的未来创新

Intel Foundry 还在该活动上介绍了长期研究进展，涵盖对未来硅片尺寸微缩至关重要的多个领域：

CFET（互补FET）：英特尔展示了具有垂直堆叠NMOS和PMOS器件、栅极间距为45nm的单片CFET反相器，为通过垂直器件架构在环栅晶体管之后继续推进逻辑微缩开辟了道路。
GaN + Si 集成用于电源管理：英特尔展示了在300mm晶圆上将氮化镓功率器件与硅逻辑单片集成，包括一个约1,000门的数字控制模块，可在单一工艺中实现高效的大规模数字控制与高性能功率器件并存，并降低系统复杂度。
减成法钌互连：英特尔展示了采用气隙集成的减成法钌互连，与铜相比实现了高达约35%的电容降低和可测量的频率提升，为互连不断缩小时改进电阻电容微缩指明了一条可行之路。

欲了解更多关于英特尔代工的 VLSI 更新和演示，请点击此处。

前瞻性陈述

本新闻稿包含涉及诸多风险和不确定性的前瞻性陈述。“accelerate（加速）”、“achieve（实现）”、“aim（旨在）”、“ambitions（雄心）”、“anticipate（预期）”、“believe（相信）”、“committed（致力于）”、“continue（继续）”、“could（能够）”、“designed（设计）”、“estimate（估计）”、“expect（期望）”、“forecast（预测）”、“future（未来）”、“goals（目标）”、“grow（增长）”、“guidance（指引）”、“intend（打算）”、“likely（可能）”、“may（可能）”、“might（可能）”、“milestones（里程碑）”、“next generation（下一代）”、“objective（目标）”、“on track（按计划）”、“opportunity（机遇）”、“outlook（展望）”、“pending（待定）”、“plan（计划）”、“position（定位）”、“possible（可能的）”、“potential（潜在的）”、“predict（预测）”、“progress（进展）”、“ramp（爬坡）”、“roadmap（路线图）”、“seek（寻求）”、“should（应该）”、“strive（努力）”、“targets（目标）”、“to be（将是）”、“upcoming（即将到来的）”、“will（将）”、“would（将会）”等词语及其变体和类似表述旨在识别此类前瞻性陈述，其中可能包括有关以下方面的陈述：

我们的 Intel 18A-P 工艺节点及该节点的风险试产，包括其性能、功耗和设计优势、竞争力与技术进步；
我们在 CFET 反相器、GaN + Si 集成和 sRu 互连方面的研究进展。

此类陈述涉及诸多风险和不确定性，可能导致我们的实际结果与此类陈述所明示或暗示的内容存在重大差异，包括与以下方面相关的风险和不确定性：

我们所处行业的高度竞争和快速技术变革；
我们在研发和制造设施方面进行的重大、长期且固有高风险的投资，这些投资可能无法实现良好回报；
开发和实施新的半导体产品和制造工艺技术所面临的复杂性和不确定性；
产品需求和利润率的变化；
宏观经济状况以及地缘政治紧张局势和冲突，包括美中之间的地缘政治和贸易紧张局势，影响以色列和中东的紧张局势与冲突，中国大陆与台湾之间日益加剧的紧张局势，以及俄罗斯对乌克兰战争的影响；
近期国际贸易政策方面地缘政治紧张局势的加剧、波动性和不确定性，包括关税和出口管制，这些都影响着我们的业务、我们所参与竞争的市场以及世界经济；
具有AI能力产品的市场不断演变；
支持我们制造设施并纳入外部代工厂的复杂全球供应链，包括因中断、延误、贸易紧张局势和冲突或短缺带来的影响；
产品缺陷、勘误及其他产品问题，尤其是在我们开发下一代产品并实施下一代制造工艺技术时；以及
本报告、我们2025年度10-K表格及我们向美国证券交易委员会（SEC）提交的其他文件中所述的其他风险和不确定性。

鉴于这些风险和不确定性，请读者不要过度依赖此类前瞻性陈述。敬请读者仔细审阅并考虑本新闻稿以及我们不定期向SEC提交的其他文件中作出的各种披露，这些文件披露了可能影响我们业务的风险和不确定性。

除非另有明确说明，本新闻稿中的前瞻性陈述未反映截至本文件提交之时尚未完成的任何资产剥离、合并、收购或其他业务合并的潜在影响。此外，除非指定了更早的日期，本新闻稿中的前瞻性陈述均基于管理层截至本新闻稿发布之日的预期，包括基于管理层认为可靠的第三方信息和预测的预期。无论是由于新信息、新发展或其他原因，我们不承担也无义务更新此类陈述，除非法律可能要求进行披露。

关于英特尔

英特尔（纳斯达克：INTC）设计并制造连接和驱动现代世界的先进半导体。每一天，我们的工程师都在创造新技术，以增强并塑造计算的未来，为我们服务的每一位客户开启新的可能。了解更多信息，请访问 intel.com。

在 businesswire.com 上查看来源版本：https://www.businesswire.com/news/home/20260616740562/en/

英特尔媒体关系部门
[email protected]

来源：英特尔公司

发布于2026年6月16日 • 美国东部时间下午5:00