超越 EPE 预算：构建下一代计算光刻
在 SPIE 光掩模与极紫外光刻会议上，来自 IBM、Carl Zeiss SMT、Micron、ASML、Tekscend 和 Applied Materials 的专家小组指出，边缘放置误差（EPE）已从单一光刻指标上升为系统级问题，掩模、扫描仪、光刻胶、刻蚀、量测与 OPC 均有贡献。
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在 SPIE 光掩模与极紫外光刻会议上，来自 IBM、Carl Zeiss SMT、Micron、ASML、Tekscend 和 Applied Materials 的专家小组指出，边缘放置误差（EPE）已从单一光刻指标上升为系统级问题，掩模、扫描仪、光刻胶、刻蚀、量测与 OPC 均有贡献。