UC Berkeley、三星与 Intel 联合提出纳米机电门控增益单元嵌入式 DRAM

Nanoelectromechanical Switches Target More Efficient Embedded DRAM (UC Berkeley, Samsung, Intel)

AI 导读

UC Berkeley、三星电子与 Intel 的研究人员在 IEEE 期刊发表论文，提出一种纳米机电门控增益单元嵌入式 DRAM。SRAM 扩展放缓与内存墙问题让增益单元 eDRAM 重获关注，但该方案仍面临保持时间有限、寄生耦合和需要提升写入电压等挑战。

正文 · AI 翻译

popularity

加州大学伯克利分校、三星电子和英特尔的研究人员发表了《纳机电门控增益单元 eDRAM》。

摘要摘录：
“存储墙问题与静态随机存取存储器（SRAM）工艺微缩的放缓，重新引发了人们对增益单元嵌入式动态随机存取存储器（DRAM）的兴趣。虽然增益单元具有高密度和高能效的优势，但也存在保持时间有限、寄生耦合以及需要提升写入电压等问题。这项工作提出了一种用于嵌入式 DRAM 的纳机电门控增益单元。 ”

在此查看技术论文。2026 年 10 月

Finnan, Collin P., Choong-Ho Rhee, Tahir Ghani 和 Tsu-Jae King-Liu。“Nanoelectromechanically Gated Gain Cell eDRAM。”《IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits》（2026 年）：223–230。https://doi.org/10.1109/JXCDC.2026.3717204。开放获取许可。