SK hynix Ventures 如何从挖掘有前景的技术到创造新商业机会
SK hynix Ventures 举办发布活动，其员工与全球合作伙伴探讨技术及合作机会。该部门致力于识别有前景的技术并创造新的商业机会，为未来发展寻找路径。
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今日 0 条SK hynix 内存技术AI 评分2626 SK hynix 内存技术AI 评分1414 SK hynix Ventures 如何从发掘前沿技术到创造新商业机会
SK hynix Ventures 介绍了其发掘有前景技术并创造新商业机会的路径。9 月，该公司在硅谷举办了 SK hynix Ventures Day 活动。
SK hynix 内存技术AI 评分3535 SK hynix Ventures 如何从早期识别技术走向创造新业务机会
SK hynix 通过十年风险投资，将企业风投模式从“tech sensing”演进为“path finding”，把内部研发、量产与客户资源转化为初创公司可利用的资产。
SK hynix 内存技术AI 评分3737 重塑基础设施：为什么架构决定性能——苏黎世联邦理工学院 Onur Mutlu 教授谈 AI 生态（SK hynix AI 生态系列）
AI 工作负载转向推理与智能体 AI 后，系统瓶颈正从算力转向数据移动。文章指出处理器中心架构下，从 DRAM 取一次数据的能耗可达一次简单算术运算的 150 至 2,000 倍，大型机器学习模型超过 90% 的系统能耗可能消耗在内存访问与数据移动上。文章引出 SK hynix 打造下一代 AI 内存生态的愿景，主张 GPU/NPU/TPU、内存、存储与网络作为整体系统协同设计。
SK hynix 内存技术AI 评分3939 SK hynix 解析：为何电力与散热成为 AI 数据中心的下一个挑战
SK hynix 在 AI Infrastructure Insight 系列第三部分指出，电力供应与散热管理已成为 AI 数据中心从设计初期就必须考虑的核心需求。
SK hynix 内存技术AI 评分5252 SK hynix 在 TSMC OIP 大会展示下一代内存组合并蝉联年度合作伙伴奖
SK hynix 于美国加州 Santa Clara 举行的 TSMC OIP 大会上展示下一代内存产品组合，并连续第二年获得 Partner of the Year 奖（3DFabric-HBM Integration 类别）。
SK hynix 内存技术AI 评分3434 SK hynix 在 AI Infra Summit 2026 展示 AI 基础设施“新蓝图”
SK hynix 参加于 9 月 15-17 日在美国圣克拉拉举办的 AI Infra Summit 2026，以“New Spectrum”为主题展示下一代 AI 内存方案，参会人数约 6,000 人、较上年翻倍。
SK hynix 内存技术AI 评分2323 SK hynix 在 2026 Future Forum 上阐明业务与技术方向——“现在是跃进的黄金时期”
SK hynix 于 9 月 8 日在利川园区 SUPEX Center 举办 2026 Future Forum，主题为“AI 时代的黄金时期：AI 内存方案创造者改变世界的时刻”，探讨 AX（AI 转型）趋势及内存技术的发展方向。
SK hynix 内存技术AI 评分3737 AI 生态系列：真正的瓶颈是数据而非算力——KAIST 刘浩俊教授解读
SK hynix 的 AI 生态系列文章指出，随着 AI 从预训练转向推理和 agentic AI，系统瓶颈正从 GPU 算力转移到数据的位置与流动。1994 年 Wulf 和 McKee 提出的 memory wall 正在成为现实：AI 加速器算力已达 petaflops 级，但内存读取速度跟不上，大量计算单元因等数据而闲置。应对方向是提升内存带宽或将内存靠近处理器。
SK hynix 内存技术AI 评分4040 SK hynix 解析：为什么光靠更快的 GPU 无法提升 AI 性能
SK hynix 在 AI Infrastructure Insight 系列文章中指出，AI 性能不能只靠 GPU 等加速器的算力，还需内存带宽、网络、存储与散热协同。
SK hynix 内存技术AI 评分3333 SK hynix 在 DTF 2026 展示面向 AI 基础设施优化的全系列内存解决方案
SK hynix 于 8 月 25 日在首尔 COEX 举行的 Dell Technologies Forum 2026（DTF）上展示了覆盖完整内存层级的 AI 内存产品组合，延续与战略伙伴 Dell 的合作。
SK hynix 内存技术AI 评分4040 SK hynix 技术笔记：Hybrid Bonding 如何演进为提升半导体性能的基础技术
Hybrid Bonding（混合键合）正成为 HBM、NAND、3D 堆叠 DRAM 和 AI 加速器等下一代产品的关键连接技术，它省去 bump、直接以 Cu–Cu 键合，将芯片间距从焊球约 100µm、微凸点约 20µm 缩小到 1µm 以下。
SK hynix 内存技术AI 评分3838 SK hynix CPO 技术路线图登上《Nature Electronics》：AI 竞争从芯片转向系统
SK hynix 联合 UVA、UIUC、NTU、MIT、延世大学研究者在《Nature Electronics》发表 co-packaged optics（CPO）技术路线图，通讯作者为 SK hynix AI Infra Team Lead Seunghoon Hong 和 UVA 教授 Kyusang Lee。