SK hynix 内存技术· Professor Seunghwan Joo, Inha Manufacturing Innovation School·· 2026-08-25AI 评分40
SK hynix 技术笔记：Hybrid Bonding 如何演进为提升半导体性能的基础技术
[Tech Note] Hybrid Bonding: Evolving into a Foundational Technology for Improving Semiconductor Performance
AI 导读
Hybrid Bonding（混合键合）正成为 HBM、NAND、3D 堆叠 DRAM 和 AI 加速器等下一代产品的关键连接技术，它省去 bump、直接以 Cu–Cu 键合，将芯片间距从焊球约 100µm、微凸点约 20µm 缩小到 1µm 以下。
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