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SNU与延世大学发布3D忆阻器-TFT储备池计算论文
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AI 综述
2026年10月7日，Semiconductor Engineering报道，首尔国立大学与延世大学研究团队在Nature Communications发表论文，提出单片三维（Monolithic 3D）集成的忆阻器-薄膜晶体管（TFT）储备池计算内核。该结构将Ru/HfO2/TiN忆阻器与In2O3沟道TFT垂直集成，通过TFT对忆阻器进行电学调制，调控忆阻电导动力学，从而在宽时间尺度上实现可编程的时间动力学。据报道称，这一方案克服了多数硬件储备池计算系统中动力学固定或可调范围狭窄的限制。目前未见后续新进展报道。
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最新进展10月7日 05:29
SNU与延世大学在Nature Communications发表单片3D忆阻器-TFT储备池计算内核论文。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月7日
- Semiconductor Engineering 芯片与封装首尔大学与延世大学发布可编程神经形态计算的 Monolithic 3D 忆阻器-TFT 叠层技术论文
首尔国立大学与延世大学研究团队在 Nature Communications 发表论文，提出单片三维集成的忆阻器-薄膜晶体管（TFT）储备池计算内核。该结构将 Ru/HfO2/TiN 忆阻器与 In2O3 沟道 TFT 垂直集成，通过 TFT 电学调制忆阻电导动力学，实现宽时间尺度上可编程的时间动力学，克服了多数硬件储备池动力学固定或可调范围窄的限制。
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