Semiconductor Engineering 芯片与封装· Technical Paper Link·· 12 小时前AI 评分35
首尔大学与延世大学发布可编程神经形态计算的 Monolithic 3D 忆阻器-TFT 叠层技术论文
Monolithic 3D Memristor-TFT Stack For Programmable Neuromorphic Computing (SNU, Yonsei)
AI 导读
首尔国立大学与延世大学研究团队在 Nature Communications 发表论文，提出单片三维集成的忆阻器-薄膜晶体管（TFT）储备池计算内核。该结构将 Ru/HfO2/TiN 忆阻器与 In2O3 沟道 TFT 垂直集成，通过 TFT 电学调制忆阻电导动力学，实现宽时间尺度上可编程的时间动力学，克服了多数硬件储备池动力学固定或可调范围窄的限制。
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