自对准CFET架构或将支撑10Å以下CMOS微缩

Semiverse Solutions 团队开展了一项关于自对准 CFET（互补场效应晶体管）架构的研究，目标是验证其能否支撑 10 埃（Å）以下节点的 CMOS 微缩。该团队采用数字孪生工艺建模的方法，对 SA-CFET 架构进行验证。架构上，SA-CFET 通过将 NMOS 与 PMOS 垂直堆叠来提升晶体管密度，并引入三个自对准模块：SA-BPR（自对准埋入式电源轨）、SA-CT（自对准接触）和 SA-TSV（自对准硅通孔），以配合 10Å 以下节点的工艺整合需求。该研究以《Semiconductor Engineering》芯片与封装板块于 2026 年 10 月 22 日发布的报道为最新进展，报道介绍了这一数字孪生建模验证的结果。目前公开信息显示该工作仍处于工艺建模验证阶段，尚无量产或流片进展的报道。

AI 根据报道生成 · 2 小时前更新

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。