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氧掺杂WSe2降低接触电阻推进2D晶体管
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AI 综述
2026年10月6日，Semiconductor Engineering报道，华中科技大学、香港理工大学、加州大学圣塔芭芭拉分校与新加坡国立大学的研究者在Nature Communications发表论文，联合研究降低接触电阻，推动2D晶体管走向先进CMOS。研究团队通过氧p型掺杂技术，制备出高性能弹道输运的WSe2单层p型晶体管。该方案解决了两个关键问题：一是掺杂不足，二是金属沉积导致的金属-半导体界面（MIGS）引起的高接触电阻问题，从而提升了p型导通电流。该研究的目标是让2D半导体在sub-1nm技术节点上超越硅，应用于CMOS电路。
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最新进展10月6日 01:25
四校联合团队在Nature Communications发表氧p型掺杂WSe2研究，提升p型导通电流。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月6日
- Semiconductor Engineering 芯片与封装HUST、港理工、UCSB、NUS 联合研究降低接触电阻，推动 2D 晶体管走向先进 CMOS
HUST、香港理工大学、UCSB 与新加坡国立大学研究者在 Nature Communications 发表论文，通过氧 p 型掺杂制备出高性能弹道输运 WSe2 单层 p 型晶体管。该方案解决了掺杂不足和金属沉积导致的 MIGS 引起的高接触电阻问题，提升了 p 型导通电流，目标是让 2D 半导体在 sub-1nm 技术节点上超越硅、用于 CMOS 电路。
本事件热度走势
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