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Semiconductor Engineering 芯片与封装· Technical Paper Link·· 2 天前AI 评分33

Syracuse、FAU 与 TU Dresden 提出 RAPID:行并行 DRAM 计算架构降低数据重组开销

Row-Parallel DRAM Computing Cuts Data-Reorganization Overhead (Syracuse, FAU, TU Dresden)

AI 导读

Syracuse 大学、FAU 与 TU Dresden 研究团队发布 RAPID(Row-parallel Arithmetic Processing-In-DRAM)架构论文,直接在 DRAM 内进行行并行、位并行的计算。

正文 · AI 翻译

雪城大学、埃尔朗根-纽伦堡弗里德里希·亚历山大大学和德累斯顿工业大学的研究人员发表了一篇题为 “RAPID: Row-Parallel Arithmetic Processing in DRAM” 的技术论文。

摘要摘录:“存内处理(Processing-using-memory,PUM)架构直接在 DRAM 内部执行计算,以减少内存与处理器之间代价高昂的数据搬运。由于电荷共享操作局限于单个位线,现有的 DRAM-PUM 架构会将数据重组为面向列、按位串行的表示形式。这种数据组织方式与传统处理器和加速器所使用的面向行、按字并行的布局根本不兼容,每当计算在 PUM 与传统执行之间切换时,都需要进行代价高昂的数据布局转换。在本文中,我们提出了 RAPID,一种行并行 DRAM 内算术处理架构。RAPID 为 DRAM 子阵列增加了两个轻量级扩展:迁移单元(migration cells),支持相邻位线之间的局部水平数据移动;以及反相单元(inversion cells),提供高效的阵列内逻辑反相。这些原语使 RAPID 能够直接在行并行、位并行的数据上进行操作,在利用 DRAM 子阵列大规模并行性的同时,保留了与 CPU 兼容的数据布局。”

点击此处查看该技术论文。2026年10月。

Tegge, William C., João Paulo Cardoso de Lima, Shouzhi Fang, Jeronimo Castrillon, and Alex K. Jones. “RAPID: Row-Parallel Arithmetic Processing in DRAM.” arXiv preprint arXiv:2610.02502(2026年10月)。https://doi.org/10.48550/arXiv.2610.02502

本文最初发表于 Row-Parallel DRAM Computing Cuts Data-Reorganization Overhead(雪城大学、FAU、德累斯顿工业大学),来源于 Semiconductor Engineering。

来源:Semiconductor Engineering 芯片与封装 · semiengineering.com