SPIE专家小组探讨EPE与计算光刻

在 SPIE 光掩模与极紫外光刻会议上，来自 IBM、Carl Zeiss SMT、Micron、ASML、Tekscend 和 Applied Materials 的专家召开小组讨论，聚焦边缘放置误差（EPE）与下一代计算光刻。专家指出，EPE 已不再只是单一光刻指标，而是上升为系统级问题，掩模、扫描仪、光刻胶、刻蚀、量测与 OPC 等环节均对 EPE 有贡献。讨论围绕如何超越传统 EPE 预算框架、构建下一代计算光刻技术展开。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。